TEKNOLOGI, Perspektif.co.id — Industri semikonduktor global memasuki 2026 dengan satu pesan tegas: Gallium Nitride (GaN) bukan lagi eksperimen laboratorium, melainkan fondasi baru elektronik daya di era AI dan elektrifikasi. Sejumlah pemain besar seperti Infineon Technologies, Efficient Power Conversion, serta kolaborasi antara Indian Institute of Science dan MIT mendorong percepatan adopsi GaN melalui terobosan desain dan ekspansi manufaktur.

Momentum ini diperkuat oleh langkah lisensi proses dari TSMC ke Vanguard International Semiconductor pada Januari 2026, menyusul perjanjian serupa dengan GlobalFoundries pada November 2025. Strategi tersebut membuka kapasitas produksi massal transistor GaN 650V dan 80V untuk pusat data AI, kendaraan listrik, dan sistem energi terbarukan—segmen yang menuntut efisiensi tinggi dalam ruang yang semakin ringkas.

“Gallium nitride (GaN) power semiconductors are reshaping the tech landscape across industries,” kata perwakilan Infineon Technologies dalam laporan GaN Insights 2026. Perusahaan itu menambahkan bahwa pangsa pasar GaN diperkirakan melonjak signifikan pada 2026, didorong arsitektur sakelar bidirectional (BDS) bertegangan tinggi dengan desain common drain dan struktur gerbang ganda berbasis teknologi Gate Injection Transistor (GIT). Arsitektur ini memungkinkan satu drift region memblokir tegangan dua arah, memangkas ukuran die dibanding konfigurasi silikon back-to-back konvensional. Dalam aplikasi mikroinverter surya, CoolGaN™ BDS yang beroperasi hingga 1 MHz diklaim mampu menghadirkan daya 40% lebih besar dalam ukuran inverter yang sama.

Di sisi riset, imec melaporkan keberhasilan menskalakan perangkat e-mode p-GaN HEMT hingga 1.200V, sekaligus menandai transisi GaN-on-Si dari wafer 200mm ke 300mm—langkah penting untuk menekan biaya per ampere dengan memanfaatkan toolset silikon matang. Sementara itu, kolaborasi onsemi dengan GlobalFoundries menargetkan solusi GaN lateral 650V untuk data center AI dan otomotif, dengan sampel dijanjikan tersedia pada paruh pertama 2026.

Dari India, peneliti IISc bersama dukungan DRDO mengklaim pengurangan kebocoran gerbang hingga 10.000 kali melalui tumpukan gerbang aluminium-titanium-oksida (AlTiO) baru, meningkatkan ambang tegangan di atas 4V dan breakdown hingga sekitar 15,5V. Terobosan ini dinilai krusial untuk mempercepat adopsi GaN pada inverter EV, konverter energi terbarukan, radar militer, dan sistem komunikasi generasi berikutnya.

Secara pasar, berbagai laporan industri memproyeksikan nilai pasar perangkat daya GaN tumbuh dari sekitar USD 615 juta pada 2025 menjadi lebih dari USD 920 juta pada 2026, dengan potensi menembus USD 3 miliar sebelum 2030. Pendorongnya jelas: GaN mampu menangani frekuensi lebih tinggi, suhu lebih ekstrem, dan kehilangan daya lebih rendah dibanding silikon—membuat charger 100W–150W semakin kecil, pusat data AI lebih hemat pendinginan, dan sistem energi bersih lebih efisien.

Setelah lima dekade dominasi silikon, 2026 tampaknya menjadi titik infleksi nyata bagi material wide-bandgap ini. Dengan lisensi manufaktur yang meluas, wafer 300mm yang mulai diadopsi, serta integrasi 3D yang kian matang, GaN bukan hanya alternatif—ia sedang membangun standar baru dalam elektronik daya global.